据央视新闻消息，当地时间10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。
据央视新闻消息，当地时间10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。
韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆在首尔龙山总统府大楼举行的记者会上表示，美国政府作出最终决定，将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。
崔相穆透露，美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业，将自即日起生效。
三星在一份声明中表示：“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营相关的不确定性已大大消除。”
SK海力士也表示：“我们欢迎美国政府延长出口管制法规豁免的决定。我们相信这一决定将有助于全球半导体供应链的稳定。”
当前，三星电子在西安生产NAND闪存，SK海力士在无锡工厂生产DRAM芯片，在大连生产NAND闪存。
集邦咨询（TrendForce）统计数据显示，截至6月底，上述两家半导体生产商合计控制着全球近70%的DRAM市场和50%的NAND闪存市场。
二级市场上，10月9日，半导体板块表现较为亮眼，存储芯片方向领涨，好上好斩获涨停，已连续4个交易日录得涨停，冠石科技、万润科技涨停，江波龙大涨超7%，东芯股份、力源信息、聚辰股份、德明利、兆易创新等跟涨。
消息面上，三星电子将下调平泽三厂(P3)投资规模，并大砍DRAM、NAND Flash达产规模，其中NAND增设规模或降至原定三分之一水准。三星电子调查显示，各领域客户存储库存调整已接近完成。
今年以来，三星一直坚定执行减产战略，今年1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星着手大幅削减NAND Flash业务产量。
分析人士指出，三星的目标是，扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转。三星预计，从2024年开始将会有部分地区的DRAM和NAND Flash供应出现短缺。
SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。
（来源：央视新闻、券商中国）
