三星已经在3D V-NAND的开发生产上积累了很多的经验，并且已经准备好推出新的技术，除了刚提到的增加纵向堆叠层数(Multi-stacking)以外，还包括缩小横向尺寸(Lateral Shrink)，以及COP(Cell Over...
飞象网讯(文颐/文)8月27日消息，本月9日，三星宣布研发出容量达1Tb(terabit)的3D NAND芯片。据悉，此次研发的V-NAND 芯片(即垂直堆叠的3D NAND)的容量是当前最大存储器512Gb (gigabit) 的两倍。
三星电子于2013年在全球率先实现V-NAND(第一代，24层)量产，今年已实现第四代V-NAND的量产引领创新。近日，西安三星电子研究所存储事业部科技总监李珺珂在接受飞象网采访时表示，现在市场上3D NAND的堆叠层数已经达到比较高的程度，并且3D NAND 技术已经成为市场主流。三星的3D V-NAND产品是事实上的工业标准，主流的产品是第三代V-NAND，第五代也已经正式推出。
"三星会继续推动在V-NAND方面的技术创新，增加堆叠的层数。比如我们的第三代有48层，第四代将实现64层堆叠，第五代目标是90层以上。其他厂商也在跟进推出3D V-NAND，但实现稳定量产并非是容易的事情。三星已经在3D V-NAND的开发生产上积累了很多的经验，并且已经准备好推出新的技术，除了刚提到的增加纵向堆叠层数(Multi-stacking)以外，还包括缩小横向尺寸(Lateral Shrink)，以及COP(Cell Over Peripheral)将单元层构建在外围支持CMOS之上的技术。"
当下，基于闪存的存储产品性能发展日益迅速，高性能的SSD存取速度达到甚至超过了传输总线的速度。对以大数据或者云计算为典型应用的数据中心的系统结构造成了影响，如何让大数据的数据更有价值是重要所在。根据Metcalfe定律,数据的价值是用大小(密度),速度和规模的能力来实现。李珺珂指出，Flash可以通过高密度SSD(128TB), Z-SSD(低延迟)和规模(Key-Value SSD)来改变世界。这种高密度的SSD,低延迟Z-SSD 和Key-Value SSD会影响数据中心的架构。
云计算、大数据盛行的当下，最不能忽略的就是人工智能，三星半导体作为全球的DRAM和NAND行业领导者，同样关注AI的发展。据透露，为了应对人工智能的到来，三星针对AI /ML 应用推出了一种特殊的DRAM，叫做HBM。HBM针对大数据计算特别优化了存取带宽，最高可以达到2TB/s。现在HBM产品已经在各种需要AI/ML的应用中广泛应用(数据中心，智能汽车等等)。
谈及三星SSD在国内外的地位，李珺珂表示，除了中国以外，三星SSD在服务器行业已经占据了全球70%的SSD市场份额市场份额。这意味着三星SSD已经通过全球IT公司的认证比如谷歌/亚马逊、IBM、惠普等。
"但是我们之前没有机会向更多的向中国用户介绍我们好的产品。现在,三星SSD已连续两年获得ODCC"最佳固态硬盘"大奖，我们希望可以借助ODCC这个平台，可以让更多的用户认识我们好的产品。坦率地说,三星SSD相比其他厂商有更稳定的性能，希望更多的中国公司了解我们的SSD的性能和可靠性。"
若想在国内站稳脚跟，获得更大的份额，便不可避免要谈及三星的SSD和竞争对手的SSD之间的区别和优势。李珺珂说，目前SSD市场持续火爆，不断有老牌厂家和新兴的厂家推出新产品上市。在众多的SSD生产厂家之中，三星SSD是唯一一家具有全套的解决方案的供应商，包括从NAND闪存颗粒，到SSD控制器，到SSD固件甚至SSD的PCB设计和最后的组装生产。"这样的全产业链的整合能力最大化我们产品的性能和稳定。"
据了解，近两年来三星半导体西安研究所对于ODCC的存储测试贡献了很多力量，双方共同合作引领了国内数据中心存储产业测试标准的制定和推广。对此，三星表示，今后会继续与CAICT紧密合作，大力支持ODCC的中国SSD标准化测试活动，将ODCC制定的各种规范和标准化结果推广给国内广大的SSD用户。
"同时,我们将介绍更多新技术的内存如HBM，DDR5，Z-SSD, Key-Value SSD给国内的客户。我们也有一个计划加强和包括BAT以及众多的国内服务器厂家加强合作。"
我那时最多是从一个甩手掌柜，变成了一个文化教员。业界老说..
三星已经在3D V-NAND的开发生产上积累了很多的经验，并且已经准备好推出新的技术，除了刚提到的增加纵向堆叠层数(Multi-stacking)以外，还包括缩小横向尺寸(Lateral Shrink)，以及COP(Cell Over...
飞象网讯(文颐/文)8月27日消息，本月9日，三星宣布研发出容量达1Tb(terabit)的3D NAND芯片。据悉，此次研发的V-NAND 芯片(即垂直堆叠的3D NAND)的容量是当前最大存储器512Gb (gigabit) 的两倍。
三星电子于2013年在全球率先实现V-NAND(第一代，24层)量产，今年已实现第四代V-NAND的量产引领创新。近日，西安三星电子研究所存储事业部科技总监李珺珂在接受飞象网采访时表示，现在市场上3D NAND的堆叠层数已经达到比较高的程度，并且3D NAND 技术已经成为市场主流。三星的3D V-NAND产品是事实上的工业标准，主流的产品是第三代V-NAND，第五代也已经正式推出。
"三星会继续推动在V-NAND方面的技术创新，增加堆叠的层数。比如我们的第三代有48层，第四代将实现64层堆叠，第五代目标是90层以上。其他厂商也在跟进推出3D V-NAND，但实现稳定量产并非是容易的事情。三星已经在3D V-NAND的开发生产上积累了很多的经验，并且已经准备好推出新的技术，除了刚提到的增加纵向堆叠层数(Multi-stacking)以外，还包括缩小横向尺寸(Lateral Shrink)，以及COP(Cell Over Peripheral)将单元层构建在外围支持CMOS之上的技术。"
当下，基于闪存的存储产品性能发展日益迅速，高性能的SSD存取速度达到甚至超过了传输总线的速度。对以大数据或者云计算为典型应用的数据中心的系统结构造成了影响，如何让大数据的数据更有价值是重要所在。根据Metcalfe定律,数据的价值是用大小(密度),速度和规模的能力来实现。李珺珂指出，Flash可以通过高密度SSD(128TB), Z-SSD(低延迟)和规模(Key-Value SSD)来改变世界。这种高密度的SSD,低延迟Z-SSD 和Key-Value SSD会影响数据中心的架构。
云计算、大数据盛行的当下，最不能忽略的就是人工智能，三星半导体作为全球的DRAM和NAND行业领导者，同样关注AI的发展。据透露，为了应对人工智能的到来，三星针对AI /ML 应用推出了一种特殊的DRAM，叫做HBM。HBM针对大数据计算特别优化了存取带宽，最高可以达到2TB/s。现在HBM产品已经在各种需要AI/ML的应用中广泛应用(数据中心，智能汽车等等)。
谈及三星SSD在国内外的地位，李珺珂表示，除了中国以外，三星SSD在服务器行业已经占据了全球70%的SSD市场份额市场份额。这意味着三星SSD已经通过全球IT公司的认证比如谷歌/亚马逊、IBM、惠普等。
"但是我们之前没有机会向更多的向中国用户介绍我们好的产品。现在,三星SSD已连续两年获得ODCC"最佳固态硬盘"大奖，我们希望可以借助ODCC这个平台，可以让更多的用户认识我们好的产品。坦率地说,三星SSD相比其他厂商有更稳定的性能，希望更多的中国公司了解我们的SSD的性能和可靠性。"
若想在国内站稳脚跟，获得更大的份额，便不可避免要谈及三星的SSD和竞争对手的SSD之间的区别和优势。李珺珂说，目前SSD市场持续火爆，不断有老牌厂家和新兴的厂家推出新产品上市。在众多的SSD生产厂家之中，三星SSD是唯一一家具有全套的解决方案的供应商，包括从NAND闪存颗粒，到SSD控制器，到SSD固件甚至SSD的PCB设计和最后的组装生产。"这样的全产业链的整合能力最大化我们产品的性能和稳定。"
据了解，近两年来三星半导体西安研究所对于ODCC的存储测试贡献了很多力量，双方共同合作引领了国内数据中心存储产业测试标准的制定和推广。对此，三星表示，今后会继续与CAICT紧密合作，大力支持ODCC的中国SSD标准化测试活动，将ODCC制定的各种规范和标准化结果推广给国内广大的SSD用户。
"同时,我们将介绍更多新技术的内存如HBM，DDR5，Z-SSD, Key-Value SSD给国内的客户。我们也有一个计划加强和包括BAT以及众多的国内服务器厂家加强合作。"
我那时最多是从一个甩手掌柜，变成了一个文化教员。业界老说..
